≡ 首页 > 新闻动态 > 行业动态

ASML首席技术官:明年交付首台High-NA EUV光刻机

2022-10-101260分享到:

据外媒Bits & Chips报道,ASML首席技术官Martin van den Brink日前受访时表示,目前公司正有序推行其路线图,在EUV之后是High-NA EUV技术。ASML正在准备向客户交付首台High-NA EUV光刻机,大概会在明年某个时间点完成。


与现有的EUV光刻机相比,High-NA EUV光刻机将更为耗电,从1.5兆瓦增加到2兆瓦。主要原因是因为光源,High-NA使用了相同的光源需要额外0.5兆瓦,ASML还使用水冷铜线为其供电。


据Martin van den Brink介绍,开发High-NA EUV技术的最大挑战是为EUV光学器件构建计量工具,配备的反射镜尺寸为此前产品的两倍,同时需要将其平整度控制在20皮米内。


至于High-NA EUV技术之后的技术方案,Martin van den Brink表示,ASML正在研究降低波长,但其怀疑Hyper-NA将是最后一个NA,可能是接下来半导体光刻技术发展出现问题的地方,其制造和使用成本都高得惊人,且不一定能真正投入生产,当前半导体光刻技术之路或已走到尽头。 


众所周知,ASML是全球最大的光刻机设备厂商,2021年,ASML曾2次提高生产目标,希望到2025年,其年出货量能达到约600台DUV(深紫外光)光刻机以及90台EUV(极紫外光)光刻机。

转自:全球半导体观察